近日，微电子所陈大鹏研究员团队联合江苏艾特曼电子科技有限公司，依托研究所8英寸 CMOS工艺平台，完成了高精度三轴加速度计产品工艺的开发与验证，经客户测试，器件性能良好，符合设计预期。 

　　针对产业界对MEMS代工的迫切需求，微电子所科研人员以高精度三轴加速度计开发为牵引展开攻关，致力于在现有8英寸硅工艺线上实现与CMOS工艺兼容的通用MEMS加工平台技术，成功开发出大深宽比MEMS结构刻蚀、MEMS与ASIC晶圆堆叠、TSV电学连接及晶圆级盖帽键合封装等关键工艺技术的量产，最终实现了TSV的ASIC晶圆、MEMS结构晶圆及盖帽晶圆的三层键合工艺，并顺利交付首款三轴加速度计产品。 

　　目前，微电子所在现有8英寸硅工艺线基础上，形成了适用于多种MEMS传感器件（高精度两轴、三轴加速度计、高度计、压力、红外热敏等）加工的Post CMOS-MEMS标准工艺，并实现了该工艺技术平台化的开发，可为MEMS设计单位提供产品工艺研发与批量加工服务。 

　　图1. 8英寸三轴加速度计产品晶圆 

　　图2. 三轴加速度计产品Die 

　　图3. 三轴加速度计产品剖面SEM图 

    （微电子所供稿）