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高能同步辐射光源验证装置超导高频腔测试达标

  

  315日,中科院高能所组织专家对166.6MHz超导高频腔低温垂直测试进行了现场测试,该超导腔是高能同步辐射光源验证装置(HEPS-TF)中的核心研制内容之一。测试专家组由来自于清华大学、北京大学和高能所的专家组成,专家组听取了课题组的介绍,对166.6MHz超导高频腔进行了现场测试。 

  测试结果表明,分别在4.2K2K 温度下,166.6MHz beta=1的超导高频腔垂直测试已经达到了设计目标,并具有较高的Q0值。在4.2K温度下腔压达到1.5MVQ0值为2.4x109(设计目标:1.5MV, Q0>5x108@4.2K)。4.2K下的低场表面电阻为10 nΩ,表面残余电阻仅为2.3nΩ 

  166.6MHz超导腔是国际上首个低频(<200MHz)强流(流强>200mA)高功率(>150kWbeta=1的超导腔,4K2K的测试结果表明指标均达到了世界领先水平,是HEPS-TF项目的重要里程碑。该腔由北京高能锐新科技有限公司制造,高能所加速器中心高频组负责完成超导腔的后处理工作。 

 

  166.6MHz beta=1的超导高频腔垂直测试达到设计目标 

 

  166.6MHz超导高频腔